台积电先进制程将再向推进。据台湾媒体最新消息，台积电供应链透露，为防英特尔抢单，台积电决定将3纳米研发团队转战1.4纳米开发。
据台湾联合报5月10日报道，台积电3纳米制程今年8月将导入量产，但台积电为取得制霸权，防止英特尔杀出抢单，决定将3纳米研发团队转战1.4纳米开发，并预定下个月鸣枪起跑，投入确认技术规格的第一阶段(TV0)开发，也为台积电准备跨足1纳米世代，揭开历史新页。
报道指出，台积电供应链透露，台积电日前敲定于今年8月于竹科研发中心P8厂及南科18B的P5厂，南北同时启动3纳米量产后，接下来要在先进制程开发上压制英特尔藉由2纳米技术突破争食苹果新世代处理器的威胁，以持续在晶圆代工保持领先优势。
在之前的财报会上，台积电联席总裁魏哲家曾经表示，公司的2纳米工艺正在研发当中，如按照初步规划，试产将在2024年底，最快则将于2025年投入量产。
但是，英特尔在更早之前曾表示，公司将在今年下半年完成Intel 18A(约为1.8纳米)的芯片设计，并将原定的量产时间从之前的2025年提前到2024年。
据日经新闻报道，日本经济产业大臣萩生田光一日前访美期间宣布了双方芯片合作事宜。美国和日本将加强在2纳米芯片上的合作。为的就是抵御来自台湾和其他地区的同类厂商的竞争。
台积电的芯片工艺也是准备了多代的，目前3nm是即将准备量产，2nm工艺工厂还在建设中，技术研发的差不多了，预定2024年试产，2025年才能量产，大量2nm芯片上市恐怕要到2026年了。
按照摩尔定律的演进，2nm节点之后会是1.4nm（每次迭代是0.7x上代工艺），最新消息称台积电已经决定上马1.4nm工艺，团队主要由之前研发3nm工艺的队伍组成，下个月就会确认，进入第一阶段TV0开发，主要是确定1.4nm技术规格。
当然，现在谈论1.4nm工艺量产就太早了，按照台积电3nm到2nm的升级间隔来算，1.4nm就算研发顺利，量产也是2027到2028年的事了。
究其原因就是1.4nm工艺已经进入1nm范畴，这个工艺节点被认为是摩尔定律的物理极限了，大约等于10个原子的直径，制造起来是非常困难的，从半导体设备到材料再到工艺路线都要全面升级，需要克服量子隧穿效应，否则芯片就要失效了。
台积电公司简介：
台湾积体电路制造股份有限公司是一家专业从事集成电路、晶圆半导体器件的制造和销售的企业。公司成立于1987年2月21日，总部设在台湾新竹。
台积电芯片用于个人电脑和周边产品；信息应用程序；有线和无线通信系统产品；汽车和工业设备，包括消费电子产品，如数字视频光盘播放器、数字电视、游戏机和数码相机。
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