前后在日本和中国半导体产业担任高阶主管的坂本幸雄。（资料照片／美联社）
曾于2019至2021年担任中国紫光集团高级副总裁的坂本幸雄表示，中国长鑫存储技术公司生产的DRAM与三星相比落后4代左右。中芯国际産品当中最细电路线宽也只是14奈米，这已是7、8年前的技术，台积电现正开发2奈米的産品。
坂本幸雄接受日经中文网访问，被问到中国与世界顶尖水平的差距有多大，他指出，中国长鑫存储技术（CXMT）在DRAM领域较三星落后4代左右。而NAND记忆卡领域，据称中国顶尖的长江存储科技（YMTC）将启动储存元件为128层的量産，虽启动192层的试生産，但制造的数量过少，还不到谈论竞争力的水平。
另外，在运算用逻辑芯片领域，中芯国际産品的最细电路线宽还只是14奈米，这已是7、8年前的技术。由于美国的制裁，中芯尚难引进尖端的生産设备，无法涉足高价值的处理器尖端领域。经营资源完全被用在增加14奈米以上的産能，如果缺乏在3、4年后追上台积电等龙头企业的决心，差距会不断扩大。
他表示，中国半导体生産达全世界15％。不过，其中英特尔等外资企业占6成，中国企业仅占4成。
协助中国半导体産业发展的出身台湾的人才，多为改善成品良率等方面的技术人才。中国缺乏从零开始创造价值的研发经验，台积电和三星电子在技术实力上领先，他们都保持工序管理和研究开发工程师的平衡，应客户要求确定半导体的功率等目标，开发电路设计和制造流程。
中国长鑫存储技术（CXMT）生产的动态随机存取记忆体。（取自公司官网）
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