华为（Huawei）在先进制程上步步推进，2023年10月推出让市场震撼搭载7纳米芯片的Mate 60高阶手机后，今年3月传出已往5纳米前进。但短短不到2个月，市场再曝光，华为将进阶3纳米技术的计划。
《Tom's Hardware》指出，今年早些时候， 华为与合作伙伴中芯国际（SMIC）送交名为自对准多重图案化（SAQP）芯片专利，目标生产5纳米芯片。显然，这并不是它们计划的顶端，因为华为和中芯国际可以使用DUV工具和多重图案化生产3纳米芯片。
《Tom's Hardware》表示，与华为合作的国家支援芯片制造设备开发商SiCarrier也获得了多重图案化技术的专利，这证实了中芯国际计划将该技术用于未来的芯片制成节点。
市场顾问公司TechInsights表示，虽然多重图案化技术可能让中国制造商生产5纳米级芯片，但另一至关重要的关键是曝光机，但产业专家不讳言，从未想过在3纳米节点上使用多重图案化技术。
由于中芯国际受限于不能使用艾司摩尔的先进曝光设备，因此，只能“另辟蹊径”用多重图案化来实现这一目标。专家指出，英特尔先前为了避免依赖曝光机，在2019年至2021年10纳米制程上，也做过同样的方式，但最后宣告失败，主要在于良率问题。
但对于中芯国际来说，多重图案化对于半导体技术的进步是必要的，从而能够生产更复杂的芯片，包括用于消费设备的下一代海思麒麟处理器和用于人工智慧伺服器的升腾处理器。
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