没有EUV的突围战：中国能否“弯道超车”？

在全球科技竞逐的棋局中，半导体始终是最具战略分量的核心产业。 近年来，中国在芯片自主化上屡传突破，从7纳米到所谓5纳米级制程，频频登上国际媒体。 然而，若回到技术本质与产业结构检视，中国是否真能在先进制程上追上领先者，答案远比标题来得复杂。

当前关键门槛在于极紫外光(EUV)微影技术。 对3纳米及以下节点而言，EUV几乎不可或缺。 但在出口管制下，中芯国际无法取得EUV，只能依赖深紫外光(DUV)浸润式微影，并透过自对准四重图形化(SAQP)等多重曝光技术，以增加制程步骤换取更小线宽。 这种“以工程强度弥补设备差距”的策略确实带来成果，外界普遍认为中芯已能以DUV制造准7纳米产品。

根据TechInsights拆解，华为Mate 80系列搭载的麒麟9030与9030 Pro由中芯N 3制程生产。 然而，N 3更接近既有7纳米(N2)的延伸优化，而非真正5纳米世代的跨越。 其前段晶体管架构未出现根本变革，性能与密度提升主要来自后段金属层间距压缩，以及设计与制程的高度协同。 换言之，这是在DUV框架下的极限微调，而非建立在EUV基础上的世代转换，其技术天花板已隐然可见。

更严峻的是成本与良率。 多重曝光意味着更多步骤、更高叠对误差风险与更长生产周期。 每增加一次曝光，缺陷与变异风险同步上升。 外界推估，中芯7纳米良率约五成; 若挑战5纳米级，良率恐降至三至四成，且成本高出台积电同级制程4至5成。 即便数据仍有讨论空间，结构现实却清楚：缺乏EUV，要同时实现高良率、低成本与稳定量产，难度极高，经济效益有限。

即便取得EUV，也未必水到渠成。 英特尔与三星皆拥有EUV产线，却曾在先进节点推进中遭遇良率与成本压力。 这说明竞赛从来不是“买到设备”即可解决。 台积电的优势不仅在于机台，更在于长年累积的制程整合能力、缺陷管理经验、供应链协同效率与高度纪律化的量产体系。 先进制造是一项系统工程——设备只是门票，体系才是关键。

进一步看，微影只是生态系一环。 先进制程高度依赖电子设计自动化(EDA)软件、智能财产核心模块(核心IP)、先进材料、量测系统与关键设备，相关领域仍由美、欧、日企业主导。 各环节紧密交织，形成高度协同的技术网络。 单点突破难以改写全局，真正的挑战在于整体生态的重建。

中国企业并未停步。 华为与上海微电子已布局EUV相关专利，展现长期自主化企图。 但从专利构想到稳定量产，往往横亘数十年技术积累与全球供应链整合。 ASML 能实现 EUV 商业化，本身即是跨国分工与长期研发的成果。 在相对封闭环境下复制此种模式，难度不言而喻。

更现实的是，技术边界仍在前移。 2025年初，英特尔已将高数值孔径(High-NA)EUV导入生产，象征3纳米之后的新竞赛展开。 即便中国未来成功开发低数值孔径(Low-NA)EUV，也将面对持续提升的门槛。 半导体竞争从不是静态距离，而是一场动态追逐。

总体而言，中国半导体展现出相当韧性与工程能力，在受限条件下仍推进技术，值得正视。 然而，缺乏EUV、仰赖DUV多重曝光、EDA与核心IP受制于人，以及成本与良率压力，构成结构性挑战。 半导体的真正领先，不只是一台关键设备，而是一整套高度协同的产业体系。 追赶可以靠决心与资源，超越则需要时间、制度与生态的积累，很难在短期内突破。