三星电子世界最大半导体工厂“平泽2号”的全景。【照片来源：三星电子】
三星电子8月30日表示，建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。
该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示，“以量产D-RAM产品为起点，平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线，成为高科技综合生产工厂，为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求，三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线，并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后，开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后，预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人，包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内，共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工，占地289万平方米，2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示，这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
三星电子的1z纳米16GB LPDDR5 Mobile D-RAM3产品。照片来自三星电子
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