从芯片达人到中共间谍 前三星高管的堕落

最近，前三星电子常务崔某因涉嫌窃取三星电子半导体工厂设计资料，并意图在中国建造“复制工厂”而被拘留起诉。图为2023年4月7日，首尔瑞草洞三星总部大楼。(Jung Yeon-je / AFP)

“韩国芯片界权威”“晶良率达人”“存储器生产工程最高专家”……被冠于以上荣誉称号的崔某曾经在韩国芯片界叱诧风云。如今，他再一次成了韩国人的话题，只不过这次是站在法庭上，被韩国人称作“卖国奴”。

6月12日，韩国检方以涉嫌违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》（向国外泄露商业机密），对涉嫌窃取被指定为国家核心技术的三星电子半导体工厂设计资料，并意图在中国建造“复制工厂”的前三星电子常务崔某（65岁）进行了拘留起诉。

因本案试图在中国复制建造整间半导体工厂，犯罪规模和损失程度都相当巨大，从这方面来看，检方表示“很难将本案与个别半导体技术泄露案进行比较”。

曾为韩国半导体发展立下汗马功劳

崔某在韩国半导体业界曾被称为“存储器生产工程的最高专家”。他最初在三星电子存储器半导体部门工作了18年，曾担任半导体业务常务，期间曾三次获得技术大奖。

2001年他跳槽到海力士半导体（现在的SK海力士）。当时海力士因流动性危机正接受债权团管理，技术明显落后于三星电子。

崔某通过改进装备和重新编制工程，大大提高了海力士的技术能力，使海力士起死回生，且创下了“DRAM和NAND闪存实现世界最低制造成本”“芯片月产量达世界最高”的纪录，崔某因此被誉为“半导体良率达人”。

凭借这样的业绩，他晋升为海力士首席技术官（CTO），不过，2010年，他作为海力士副社长在挑战海力士代表理事失败后，选择辞职离开。

复制工厂未建成 但韩国芯片工厂技术已外泄

2015年，崔某在新加坡成立了半导体芯片企业，2018年与台湾电子产品生产销售企业签署了8万亿韩元（约63亿美元）的投资协议。

据韩国检方调查结果，2018年8月到2019年，崔某涉嫌使用三星电子半导体工厂BED（Basic Engineering Data）、工序布局图和半导体工厂设计图等商业机密资料，以及从台湾企业获得的投资，企图在中国西安市建设与三星电子相同的芯片工厂。其选址距离三星电子的西安工厂只有1.5公里。

参与犯罪的还有前三星电子和合作企业员工6人，他们被指涉嫌根据崔某指示非法获取三星电子半导体工厂设计资料并擅自使用。

半导体芯片工厂BED是指，防止在半导体制造空间（洁净室）中存在杂质而创造最佳制造环境的核心技术。他们所盗取的技术是用于手机制造等30纳米以下DRAM和NAND闪存的制造工程技术。韩国检方表示，“这是三星电子通过三十多年的研究开发获得的资料，价值3000亿至数万亿韩元（约2亿至数十亿美元），不仅是一个企业的商业秘密，更是国家级的核心技术。”

不过，因台湾企业停止投资，西安复制工厂的建设中断。

与中共展开半导体合作

2019年，崔某在中国成立半导体企业真芯（北京）半导体。

2020年，真芯（北京）半导体与成都市政府合作，成立了半导体合资公司——成都高真科技。崔某担任该合资公司的代表。

据韩媒《中央日报》报道，崔某获得成都市政府4600亿韩元（约3.6亿美元）投资，去年在成都建成研发（R&D）大楼，今年开始生产采用从三星电子盗取的技术而制造的半导体样品。

另据韩国检方调查，崔某在新加坡和中国成立芯片相关公司，以及在中国设立半导体芯片工厂的过程中，以高薪聘请了200名出身于三星电子和SK海力士的韩国半导体行业核心人才。

随着美国加大力度对中共半导体行业进行遏制，中共猎取韩国高技术人才的现象越来越猖獗。

据韩媒《首尔经济》报道，中共半导体业不仅以高额年薪作诱饵，甚至还在韩国建立研发中心，允许半导体高级人才在韩国国内工作，以此促使他们离职。

韩国警察厅最近4个月为揭露产业技术泄露犯罪进行了“危害经济安全犯罪特别打击行动”。6月11日公布的中期调查结果显示，有8件是海外技术泄露事件，与中国企业有关的占一半左右。

据韩国国家情报院统计，2018至2022年被揭露的产业技术海外泄露损失规模估算额约为25万亿韩元（约196亿美元）。

日本电子工程师李济心6月15日表示，中共偷窃技术的第一目标一定是科技最强的美国，当美国开始意识到技术被严重窃取并开始严格审查时，偷窃的主要目标开始伸向欧洲和日本，当欧洲和日本开始防范时，偷窃技术的对象就变成了在中国还有大量投资，还没有严格防范的韩国了。

他说，一直以来，韩国的半导体企业在中国有大量投资且出口依赖中国，所以“对中国技术侵权行为睁一只眼闭一只眼，这恰恰令中国（中共）更加肆无忌惮。”

他提醒，韩国“必须像美国和日本一样，严正警告、严格审查，才能杜绝中国（中共）偷窃技术的犯罪行为。”