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打破围堵 中国国产光刻机实现突破

www.creaders.net | 2023-07-27 12:04:48  中时新闻网 | 0条评论 | 查看/发表评论


大陆半导体界最近传出消息称,上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。图为上海微电子制造的90nm光刻机。(图/上海微电子)

继美国与荷兰之后,日本于7月23日实施限制半导体制造设备出口新规正式生效,这对中国半导体产业最尖端的芯片制造领域带来巨大压力。陆媒指出,虽然中国将因此而增加高端光刻机国产化的难度,但近日半导体界传出消息称,上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。

据《证券日报》,光刻机是半导体工业最重要的设备之一,决定著芯片的工艺水准和性能,是芯片制造中的关键设备,也是半导体产业核心中的核心。但是目前全球光刻机市场几乎被荷兰的艾斯麦(ASML)、日本的佳能和尼康垄断,其中ASML更是独佔高端极紫外光刻机(EUV)的市场份额。

报道说,EUV光刻机有超过45万个零件,零件数量是一辆F1赛车的20倍以上,制造难度超乎想像。即便是处于世界EUV光刻机制造垄断地位的ASML,大约也只生产了其中的15%,另外85%的零件需要从全球的供应链整合而来。因此,中国推进光刻机关键技术研发以提升半导体设备国产化,是当下乃至未来相当长一段时间内,既重要紧迫,同时又有很高难度的攻坚任务。

报道指出,近日有消息称,上海微电子正极力研发28奈米浸润式DUV光刻机,预计在2023年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。而去年底官方公布华为一项名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”(CN115343915A)的新专利,未来能在EUV光刻机核心技术上取得的突破性进展。另外,华中科技大学研製的OPC系统、哈尔滨工业大学研製的镭射干涉系统等,也各自有所突破。将加快推进14 奈米、7奈米甚至更低节点的光刻机研发工作。

大陆目前可量产90奈米以上的光刻机,与国际先进水准仍有差距,但也能满足国内市场部分需要。这显示中国在光刻机领域具有一定的技术积累和人才储备,有望逐步缩小与国际先进水准的差距。不过,光刻机涉及光学、精密机械、材料、控制等多领域複杂技术,关键技术研发具有超高难度,仅有政策和资金支援还远远不够,还需要包括技术、人才、资料等各种资源的高效组合。

报道说,光刻机是半导体产业“王冠上的明珠”,推进其关键技术研发,提升半导体设备国产化率,是中国半导体产业发展的必由之路,道路虽远,只要持续前进就会到达。

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