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半导体业界传出,中国记忆体厂长鑫存储合肥厂拼国产化拼过头,因人为疏失导致良率严重受损、品质出现重大缺失,报废数万片晶圆,无法如期交货给客户,相关营运主管皆遭受惩处或停职,其中,还包括带枪投靠的前台积电某厂长。
业界传出,长鑫存储的内部文件显示,日前因人为因素造成数万晶圆报废,起因生产良率出现严重损失与重大品质缺失,关键产品无法如期交货给客户,显著影响公司对外部客户信用与市场声誉。
根据市场调查,长鑫存储DRAM月产能已达20 万片的规模,是中国拼记忆体国产化的指标厂,主要产品包括17/18 纳米DDR4、LPDDR4,正往12纳米DDR5、LPDDR5X迈进,也企图生产AI的HBM(高频宽记忆体)。
(示意图)
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