阻力变助力 长江存储芯片技术又有突破

中国领先的内存芯片制造商长江储存在美国的半导体制裁下，再度突破芯片新技术，这是两年内第二次证明，美国的贸易限制并未减缓其技术进步。

专家指出，长江储存的最新内存芯片突破展示中国的技术韧性，也预示着全球半导体产业的动态转变。 随着该公司不断突破内存芯片创新界限，表明贸易制裁可能会推动、而不是阻碍中国的技术自给自足。

继2022年实现232层NAND技术突破之后，长江储存在内存芯片创新方面再次突破界限。 这项突破是通过研究公司 TechInsights 的分析发现。 它展示长江储存对高密度3D NAND芯片Xtacking4.0设计的掌握，也是中国半导体技术在美国试图遏制情况下继续进步的又一例证。

TechInsights高级分析师Jeongdong Choe指出这一最新进展的意义，他表示：“重要的一点是，长江储存已经在市场上击败竞争对手。 借助新的Xtacking4.0技术，长江储存似乎找到了利用这种新芯片突破当前禁令的方法“。

《南华早报》也引述TechInsights最近报道，长江储存的成就体现在商用ZhiTai TiPro9000固态储存设备。 该设备采用先进的双层结构，下层有150个栅极，上层有144个栅极，总计有294个栅极。

自2016年成立以来，长江储存已从全球闪存产业的后来者，成长变为强大的竞争对手。 该公司快速的技术进步首次凸显是在2022年，当时生产突破性的232层NAND 闪存，超越美光科技、三星电子和SK海力士等行业巨头的能力。

全球存储器芯片领域竞争激烈，SK海力士宣布计划在今年上半年量产321层4D NAND芯片。 然而，根据TrendForce的数据，市场面临需求疲软和供应过剩的挑战，而中国供应商在国内替代政策的推动下积极扩大生产，加剧了这项挑战。

最近的这项突破尤其引人注目，因为就在该公司被列入华府因国家安全担忧而制定的出口黑名单之前。