荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）是目前唯一能生产EUV（极紫外光）光刻机的制造商，但被美国禁止向中国出售EUV光刻机，导致中国公司难以自行生产高端芯片。
不过内媒观察者网等报道，中科院上海光学精密机械研究所由前ASML科学家林楠率领的团队，近月成功开发出LPP-EUV光源，已达国际领先水平，对内地自主研发EUV光刻机具重大意义。
林楠团队的研究成果近月发表于《中国激光》期刊。 公开信息显示，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率（CE）。 二氧化碳激光器激发的Sn等离子体CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。
因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提升。 目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。
林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究，未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。
资料显示，林楠是中科院上海光学精密机械研究所研究员，曾任ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人，曾主导ASML EUV光源研发的核心计划，2021归国。
不过，在4月的一次投资者电话会议上，ASML首席财务官戴厚杰（Roger Dassen）表示，中国进行的光刻机替代相关技术进展已有耳闻，中国确实有可能制造出EUV光源，但他相信，中国依然需要很多年才能造出一台先进EUV光刻设备。
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