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荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)是目前唯一能生产EUV(极紫外光)光刻机的制造商,但被美国禁止向中国出售EUV光刻机,导致中国公司难以自行生产高端芯片。
不过内媒观察者网等报道,中科院上海光学精密机械研究所由前ASML科学家林楠率领的团队,近月成功开发出LPP-EUV光源,已达国际领先水平,对内地自主研发EUV光刻机具重大意义。
因此,林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源,但能量效率需要进一步提升。 目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%,超过了荷兰和瑞士研究团队的水平,虽然没有超过4%,但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。
林楠团队研究人员估计,光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%,团队正计划增加进一步的研究,未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。
林楠。 (中国科学院官网)
资料显示,林楠是中科院上海光学精密机械研究所研究员,曾任ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人,曾主导ASML EUV光源研发的核心计划,2021归国。
不过,在4月的一次投资者电话会议上,ASML首席财务官戴厚杰(Roger Dassen)表示,中国进行的光刻机替代相关技术进展已有耳闻,中国确实有可能制造出EUV光源,但他相信,中国依然需要很多年才能造出一台先进EUV光刻设备。
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