周四（5月28日），就职于通用电气（GE）全球研究部（既纽约州立大学综合技术学院GE实验室）的42岁的华裔工程师隋洋（Yang Sui，音译）在纽约的联邦法庭认罪，并承认他在2015年至2017年间，从GE窃取了多个与碳化硅MOSFET的研究、设计和制造有关的电子文件。随洋并非第一个从GE窃取科技成果的华裔工程师。
据GE实验室当地媒体《Time Union》报导，认罪书说，隋洋多次从GE的资料服务器下载资料，并把资料发送到他的Gmail帐号，他回家后再把资料下载存档。
隋洋还承认他打算利用碳化硅制造说明，开办自己的公司。他还打算吸引3千万美元的风险投资。联邦检察官的认罪书中还说，从2017年开始，被告就开始制作自己的商业计划，打算开办自己的私人企业，生产、销售与GE研究、开发、设计及制造的相同的碳化硅产品。
纽约联邦法院法官蒂阿格斯蒂诺（Mae A. D’Agostin）将于9月22日宣布对隋杨的量刑。隋杨所犯的“窃取商业机密罪”面临最高10年监禁，以及最高25万美元或犯罪所获财务收益两倍的罚款，外加刑满后最高三年监督释放。根据认罪书， GE的损失估计至少50万美元。
据隋杨在领英网（LinkedIn）上的个人信息，他于1996年考上北京清华大学，攻读材料科学，之后在衣阿华州立大学和普渡大学分获硕士和博士学位，攻读博士期间他曾任普渡大学中国学生学者联谊会副会长。2010年10月至2018年1月， 他在位于纽约上州Niskayuna的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师。
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛用于模拟电路与数字电路的场效应晶体管。起诉书介绍，碳化硅MOSFET被用于通用电气的各种零件和产品，包括航空设备和风力涡轮机。纽约州立大学综合技术学院GE实验室研究制造碳化硅芯片，这些芯片被用于制造电力电子开关。
隋洋不是第一位涉GE商业秘密盗窃案的华人科技人员。2014年，来自中国的电脑软件工程师谢军（Jun Xie，音译）被控盗窃通用医疗集团（GE Healthcare）的商业机密，他窃取了工程设计、产品测试信息和业务战略等内容的1.4 GB或240万个文件，发送给中国的亲戚。因他是H-1B工作签证，定罪后即被递解出境。
2018年，中共“千人计划”专家、GE工程师郑小清在GE能源及水（GE Power & Water）部门工作期间，用“隐写术”窃取包括天然气与蒸气涡轮科技设计模型、工程图及其它细节的文件，并将这些档案寄给在中国的商人张照曦 （Zhaoxi Zhang，音译）。郑小清案现正在审理中。
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