打击中共 美限制14奈米以下芯片设备输出

美国近期通过《芯片法案》并将出台出口管制新禁令，意在遏制中共先进芯片发展。芯片示意图。（ShutterStock）

美国遏止中共芯片制造力道升级，近期将扩大对14奈米以下先进芯片设备的出口管制，传下一步还将对先进芯片设计软体进行限制。专家认为，中共野心勃勃的“造芯”计划恐面临严酷检验。

14奈米以下设备禁售中国

美国国会上周通过一项价值520亿美元的《芯片与科学法案》用以提高国内芯片制造能力，该法案禁止获得补助的半导体厂商，在10年内于中国扩大生产比28奈米制程更先进的芯片。

与此同时，美国加大对芯片设备出口管制。据彭博社报道，美国两家主要半导体设备供应商科林研发（Lam Research）和科磊（KLA Corp）证实，收到美国政府的通知，未取得许可证的美企，禁止出售14奈米以下半导体设备给中芯国际等中企。

中芯国际目前最尖端的技术是14奈米，于2019 年下半年进入量产。2020年12月，美国商务部将中芯国际列入“实体清单”，将10奈米及以下制程的半导体所需设备被默认为拒绝。

财新网报道，芯谋研究总监王笑龙表示，中芯国际等芯片厂商已经在美国的实体清单上，若出台新的限制，相当于把目前的管制拓宽到了整个中国企业，在华生产的相关机台都受影响。

台湾半导体企业家陈先生8月3日告诉记者，由于芯片制程奈米数愈低，技术越先进，美国政府将制程从10奈米扩大到14奈米、将先进制程范围定为14奈米以下，代表管制趋于严格，更多半导体设备会被纳入。

他表示，现在美国对于中国高科技制程限制，转而从设备方面着手，过去频传中企向台湾、企业挖角，恐怕也将无济于事，“有了人才，但是没有设备，也研发不出先进制程。 ”

Strategy Analytics高级分析师Sravan Kundojjala指出，对中国代工厂来说，禁售令可能是一个大问题，代工厂需要来自多个供应商的设备，即使只有少了一家供应商的支持，一颗芯片也完全造不出来。

中芯国际7奈米制程 被指效率低

逆向工程分析公司TechInsights 7月19日发布报告，他们拆解MinerVa Semiconductor挖矿用的专用积体电路（IC），分析后确认这颗IC是由中芯7奈米制程代工，而且是于2021年7月起就开始出货。相关报告引起重视。

美国科技新闻网站protocol.com 8月2日引述消息来源称，拜登政府打算对先进芯片设计软体（EDA）出口颁布新禁令，将管制EDA 软体出口大陆，预计会在未来几周内公告实施。全球EDA软体市场的三大厂商，益华、新思和西门子将受到影响。

半导体企业家陈先生表示，业界普遍认同TechInsights报告所述，这意味着中芯具有7奈米制程能力，但是，该技术相对来说没有竞争力，它是由生产28奈米的深紫外光刻机（DUV）重复曝光生产，制程上比较繁复、良率较低，“相当于用了很多功夫才做出来7奈米芯片，没有成本效益，没有市场性，各方面都会受到很大的挑战。”

美国近期向荷兰政府施压，要求其国内半导体制造商阿斯麦（ASML）公司扩大对华禁售范围，除了已经禁售的最先进的极紫外光（EUV），希望把用于生产成熟制程的主流机台DUV也囊括其中。

芯片法案上路 大厂中国扩产受阻

而即将上路的《芯片与科学法案》，预计受惠的企业包括英特尔、美光等半导体龙头，三星和台积电也将获得建厂补贴，但与此同时，其位于中国的扩产计划将受到限制。

“包括英特尔、三星、台积电等企业，在中国先进制程的演进都将受到限制。”陈先生说，轻薄短小是IC演进的趋势，越来越小的芯片，越具有高速、低成本、省电、更具竞争力的优势，美国做出的种种限制，不单是国防安全考量，还包括本土产业和市场性的多重考量。

他表示，这意味着未来几年，中国半导体制程研发的演进，会产生很大阻力，“会压抑中国境内制程技术进一步演进的能力，市场性都会受到很大的压抑，对于中国而言，阻力会越来越大。”

台积电目前在中国使用最多的是16奈米，这比台积电在台湾晶圆厂使用的最尖端技术5奈米落后了3代。而台积电原本计划在南京设厂、扩充28奈米成熟制程，或将因此受到影响。