北京距离突破，仍有一道深不见底的鸿沟

　　深圳EUV超紫外光曝光原型机的出现，并非“灵光一闪”，而是典型的“被需求逼出来的混合型方案”。在这条极其艰难的技术路线上，北京选择了最熟悉、也最激进的路径——举国体制。华为被推到台前，担任“中央系统整合商”，将上海光学精密机械研究所（SIOM）等国家级科研机构，与一众民营企业强行拧成一股绳。

       但必须承认，即便取得阶段性突破，中国距离真正的芯片量产与商业化，仍有一道深不见底的鸿沟。

       现实是，目前中芯国际仍主要依赖较为落后的DUV曝光机，通过复杂、繁琐的多重曝光工艺来勉强生产7纳米芯片。代价是什么？成本失控、效率低下。有报道称，中芯国际的晶圆制造成本比台积电高出40%—50%，而7纳米良率甚至低于50%。

       在技术路线上，中国与ASML的分歧同样耐人寻味。

       ASML采用的是二氧化碳雷射产生极紫外光，而中国研究团队选择重新拾起一条曾被ASML放弃的固态雷射路线。当年，这一方案因效率不足，被认为无法支撑大规模量产。但如今，中国团队报告称，其能量转换效率已达到3.42%，正在逼近实际应用的门槛。

       与此同时，华为还准备了“Plan B”。

       一种名为雷射诱导放电等离子体（LDP）的光源方案正在同步推进。它不依赖复杂雷射系统，而是通过高压放电产生等离子体，结构更简单、可控性更强。尽管功率偏低，但作为备用方案，它足以在关键时刻“保底”——即便无法绕开被禁用的蔡司光学镜片，LDP仍可用于生产满足军用与特定需求的芯片，哪怕产量有限。

       为了补齐系统整合这一“最难、也最隐蔽”的短板，该计划还在全球范围内高强度挖人。据路透社披露，中国团队从ASML等企业招募顶尖工程师，甚至开出高达70万美元的签约奖金。这类“人力情报收集”，为国产EUV补上了大量无法从论文中获得的工程经验。

       中国EUV曝光机真正的终极目标，并不仅是“能做出来”，而是干掉昂贵的多重曝光工艺，让芯片制造回到可持续的商业逻辑，而非长期依赖国家输血。

       在那之前——预计至少要到2029年前后——中国芯片产业仍将处在一个现实而残酷的阶段：用巨额财政投入，去对冲技术封锁与经济规律之间的矛盾。

       这不是捷径，而是一场押上耐力、资源与时间的硬仗。

（陆媒报导截图）